國產(chǎn)半導體設(shè)備的意義：硬科技是要素創(chuàng)新，是科技發(fā)展的底層源動力，是一種縱向的探索式創(chuàng)新，從上往下依次劃分為三個層級，分別是：淺層要素（云、系統(tǒng)軟件、服務器、芯片設(shè)計）、中層要素（代工、封測、制造、存儲）、深層要素（半導體設(shè)備），半導體設(shè)備是硬科技的底盤，決定了晶圓代工行業(yè)內(nèi)循環(huán)為主、外循環(huán)為輔的實現(xiàn)水平。

　　我們將技術(shù)分為四個層次：根技術(shù)、干技術(shù)、枝技術(shù)、葉技術(shù)，其中處于支配地位的就是根技術(shù)，而半導體設(shè)備在根技術(shù)中具備支配地位。

　　我們將科技股分為兩類：

　　1、科技觀，雙重維度：我們從兩個維度定義科技股，第一種是基于技術(shù)的要素創(chuàng)新（硬科技），另外一種是基于模式的場景創(chuàng)新（軟科技）。基于要素創(chuàng)新的公司主要分布在半導體和底層軟件領(lǐng)域，他們突破現(xiàn)有的技術(shù)瓶頸，不斷的拓展要素的技術(shù)邊界，從而實現(xiàn)技術(shù)的深層次進步，我們稱之為硬科技；

　　基于模式創(chuàng)新的公司主要集中在互聯(lián)網(wǎng)和各類集成商領(lǐng)域，他們基于現(xiàn)有的科技要素，進行模式的匹配和組合，并應用于各種場景，我們稱之為軟科技。

　　2、硬科技，要素創(chuàng)新：是科技發(fā)展的底層源動力，是一種縱向的探索式創(chuàng)新，從上往下依次劃分為三個層級，分別是：淺層要素（云、系統(tǒng)軟件、服務器、芯片設(shè)計）、中層要素（代工、封測、制造、存儲）、深層要素（芯片設(shè)備、材料、IP/EDA）。

　　而這三層硬科技歸根結(jié)底來源于數(shù)學、物理、化學、材料等基礎(chǔ)科學。對于技術(shù)邊界的拓展，這些基礎(chǔ)設(shè)施背后的要素創(chuàng)新，自上而下，層次越深，難度越大，中國與國外的差距也越大。

　　目前，我國已經(jīng)在部分領(lǐng)域開始有所突破，但是與國外先進水平相比差距仍存。華為目前已提出將在半導體全面布局，從深層要素通過新工藝、新材料緊密聯(lián)動，實現(xiàn)全棧要素創(chuàng)新。國內(nèi)外硬科技代表公司是半導體設(shè)備（應用材料、北方華創(chuàng)(行情002371,診股)）。

　　半導體設(shè)備是中國實現(xiàn)科技自強的根本，是實現(xiàn)外循環(huán)的內(nèi)在條件。

　　我們認為未來的格局將是：

　　1、成熟工藝=內(nèi)循環(huán)為主+外循環(huán)為輔

　　2、先進工藝=外循環(huán)為主+內(nèi)循環(huán)為輔

　　淺層要素，主要以基礎(chǔ)軟件、芯片設(shè)計為代表，基礎(chǔ)軟件具有傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的特質(zhì)“平臺+硬件+軟件”。主要包括了承載終端場景的云平臺，數(shù)據(jù)庫、操作系統(tǒng)、應用軟件的軟件群以及服務器、數(shù)據(jù)中心等硬件設(shè)備。云和芯片設(shè)計作為連接應用場景和中層要素的接口。

　　中層要素，主要以代工制造、封裝測試為代表，是淺層要素的載體，也是深層要素的集合。相比較淺層要素追逐摩爾定律，中層要素更需要時間的積累，制程演進推動相關(guān)技術(shù)持續(xù)突破，不斷拓展要素的技術(shù)邊界，實現(xiàn)技術(shù)進步。

　　深層要素，主要以底層軟件、設(shè)備、材料為代表。深層要素的缺失將會為中層要素的崩塌埋下隱患，使得淺層要素處于空中樓閣的狀態(tài)。近年來，美國實體清單、日韓貿(mào)易爭端都說明了要素創(chuàng)新必須實現(xiàn)深層要素的國產(chǎn)化才能實現(xiàn)全棧要素創(chuàng)新。

　　此輪半導體設(shè)備周期有何不同？

　　半導體設(shè)備的周期：本輪是朱格拉周期（設(shè)備投資周期）+國產(chǎn)替代周期+創(chuàng)新周期+庫存周期，是四個周期的疊加，與上一輪以泛半導體為主的投資周期不同，這次是以集成電路投資為主線的全新機遇。

　　此輪國產(chǎn)設(shè)備周期背后是兩個周期的疊加：

　　1、朱格拉周期也叫設(shè)備投資周期，其背后就是中國的產(chǎn)業(yè)升級周期。

　　2、下游庫存周期的逆向傳導，從創(chuàng)新傳遞到庫存，然后傳遞到設(shè)備投資。

　　目前這兩個周期都在啟動的早期：

　　我們先回顧上一輪朱格拉周期（2009~2019），中國的半導體建設(shè)主要集中在泛半導體領(lǐng)域，中國大陸通過十年密集的順周期+逆周期的投資將面板、光伏、LED、消費電子制造、新能源均發(fā)展成全球前列，分別在半導體能源（光伏）、半導體照明（LED）、半導體顯示（面板）培育出了隆基股份(行情601012,診股)、三安光電(行情600703,診股)、京東方三大世界龍頭。

　　下一輪朱格拉周期（2020~2030），中國將在集成電路領(lǐng)域進行巨額投資，以存儲（DRAM、NAND）、晶圓代工（成熟工藝為主、先進工藝為輔）、第三代化合物半導體為主。這就是國產(chǎn)設(shè)備的黃金紅利期。

　　與前一輪周期相比，此輪周期有兩個不一樣：

　　1、國產(chǎn)設(shè)備的參與度大幅提升。上一輪周期由于裝備基礎(chǔ)薄弱問題，雖然在光伏設(shè)備領(lǐng)域培育出了晶盛機電(行情300316,診股)和北方華創(chuàng)，LED設(shè)備領(lǐng)域的北方華創(chuàng)和中微公司(行情688012,診股)，但是在面板領(lǐng)域，絕大多數(shù)設(shè)備都來自海外，錯失了一輪行業(yè)紅利。僅京東方一家公司在此輪擴產(chǎn)周期中就投資超過2000億元，但其中絕大多數(shù)都是國外設(shè)備，北方華創(chuàng)作為旗艦龍頭，僅僅供應部分，占比極其有限。

　　2、國產(chǎn)設(shè)備的投資金額巨大，此輪設(shè)備投資周期的金額將數(shù)倍于上一輪泛半導體，

　　此輪朱格拉周期是以集成電路為主，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)開始在低端和成熟工藝匹配，除了光刻環(huán)節(jié)，已經(jīng)在PVD、CVD、刻蝕機、氧化設(shè)備、ALD、清洗設(shè)備、量測設(shè)備逐漸匹配。

　　風險提示：行業(yè)景氣度不及預期、中美貿(mào)易摩擦加劇、科技發(fā)展不及預期。