日本佳能將于2021年3月發(fā)售新型光刻機“FPA-3030i5a”，該設備使用波長為365納米的“i線”光源，支持直徑從2英寸（約5厘米）到8英寸（約20厘米）的小型基板。與以往機型相比，生產(chǎn)效率提高約17％。

　　日本佳能正通過光刻機加快搶占高功能半導體市場。佳能時隔7年更新了面向小型基板的半導體光刻機，提高了生產(chǎn)效率。在用于純電動汽車（EV）的功率半導體和用于物聯(lián)網(wǎng)的傳感器需求有望擴大的背景下，佳能推進支持多種半導體的產(chǎn)品戰(zhàn)略。目標是在三大巨頭壟斷的光刻機市場上確立自主地位。

　　佳能將于2021年3月發(fā)售新型光刻機“FPA-3030i5a”，該設備使用波長為365納米的“i線”光源，支持直徑從2英寸（約5厘米）到8英寸（約20厘米）的小型基板。分辨率為0.35微米，更新了測量晶圓位置的構件和軟件。與以往機型相比，生產(chǎn)效率提高約17％。

　　新機型調(diào)整了測量晶圓位置的“校準示波器”的構成，與曝光工序分開設置了測量單元。通過同時進行縱橫兩個方向的測量而縮短了時間，并通過擴大測量光的波長范圍，實現(xiàn)了對難以識別標記的多層基板和透明基板的支持，而且能夠識別出晶圓背面的標記。

　　除了目前主流的硅晶圓之外，新機型還可以提高小型晶圓較多的化合物半導體的生產(chǎn)效率。包括功率器件耐壓性等出色的碳化硅（SiC），以及作為5G相關半導體材料而受到期待的氮化鎵（GaN）等。隨著純電動汽車和物聯(lián)網(wǎng)的普及，高性能半導體的需求有望增加。

　　在半導體光刻機領域，荷蘭ASML和日本的佳能、尼康3家企業(yè)占據(jù)了全球9成以上的份額。在促進提升半導體性能的精細化領域，可使用短波長的“EUV”光源的ASML目前處于優(yōu)勢地位。佳能光學設備業(yè)務本部副業(yè)務部長三浦圣也表示，佳能將根據(jù)半導體材料和基板尺寸等客戶制造的半導體種類來擴大產(chǎn)品線。按照客戶的需求，對機身及晶圓臺等平臺、投影透鏡、校準示波器三個主要單元進行開發(fā)和組合，建立齊全的產(chǎn)品群。