科研人員將存儲芯片容量提升1000倍 譽為“終極儲存”（股）

　　據(jù)報道，韓國技術(shù)信息部宣布該國研究團隊利用可以代替現(xiàn)有DRAM或NAND閃存的新一代候選“鐵電體存儲器（FRAM）”，將存儲芯片的存儲容量提高 了1000 倍；同時通過對鐵電體物質(zhì)氧化鉿施加3-4V的電壓，致使原子之間的力量斷裂，每個原子都可以自由移動，從而理論上可將線幅縮小至0.5納米。

　　現(xiàn)有半導(dǎo)體的最小線幅為5納米，此次發(fā)現(xiàn)在理論上可以進一步減少到十分之一以下。從而“在相同的空間里儲存1000 倍以上的信息”。該項目負責(zé)人李準熙教授表示：“在原子中儲存信息的技術(shù)，在不分裂原子的情況下成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終極儲存技術(shù)的幾率很高。”值得注意的是，F(xiàn)RAM是現(xiàn)有的半導(dǎo)體材料，被認為商用化的可能性非常高。

　　相關(guān)上市公司：

　　上海貝嶺(行情600171,診股)：存儲芯片已形成系列產(chǎn)品，公司“鐵電體存儲器芯片”項目被列為國家技術(shù)創(chuàng)新重點新產(chǎn)品；

　　東方鋯業(yè)(行情002167,診股)：旗下有氧化鉿產(chǎn)品。