中國半導(dǎo)體投資是美國千倍 國內(nèi)第三代半導(dǎo)體規(guī)劃引關(guān)注

　　據(jù)媒體報道，美國智庫戰(zhàn)略與國際問題研究中心的高級副總裁以及技術(shù)政策項目主任詹姆斯·劉易斯表示：“中國國家對于半導(dǎo)體的投資可能是美國的近1000倍，而這樣的實力對比，不管怎么說都無法贏。”并且他認為到目前為止，美國在這場競技賽中遙遙領(lǐng)先，而中國還在后面努力地追趕，然而美國如今存在的最大劣勢就是“不愿意花錢”。

　　之前報道：

　　9 月 7 日消息 上周末有關(guān)第三代半導(dǎo)體將寫入 “十四五規(guī)劃”的消息引起廣泛關(guān)注，據(jù)權(quán)威消息人士透露，我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入正在制定中的 “十四五”規(guī)劃，計劃在 2021-2025 年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。

　　什么是第三代半導(dǎo)體？按業(yè)內(nèi)定義，第三代半導(dǎo)體材料是指帶隙寬度明顯大于硅（Si）的寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石等，因其禁帶寬度大于或等于 2.3 電子伏特，又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。其具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及高輻射等惡劣條件的新要求。

　　在業(yè)內(nèi)人士看來，第三代半導(dǎo)體更重要的意義是在功率器件領(lǐng)域，通過其特殊的材料特性，改進相關(guān)芯片及器件性能。

　　IT之家了解到，目前，德國的英飛凌、日本的羅姆和美國的 Transphorm 是第三代半導(dǎo)體的主要供應(yīng)商，但中國巨大的市場需求最能支持國產(chǎn)供應(yīng)的發(fā)展，許多中國半導(dǎo)體企業(yè)正在積極進行第三代半導(dǎo)體方面的部署。碳化硅制造商北京天科合達半導(dǎo)體公司剛剛在 2020 年 7 月提交了在上海證券交易所科創(chuàng)板上市的申請，碳化硅模塊和解決方案提供商忱芯科技也在 8 月完成了來自天使投資人的新一輪融資。華為通過其投資部門哈勃科技投資持有 10% 股份的天岳晶體，也投資 30 億元人民幣（4.3916 億美元）在湖南長沙建設(shè) SiC 工廠。