第三代半導體：研究框架

　　核心觀點

　　1.全球SiC產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立格局，其中美國一家獨大。隨著中美貿(mào)易戰(zhàn)的不斷升級，半導體芯片領域成為了中美必爭之地，伴隨著華為再次被美制裁，高端裝備等領域的國產(chǎn)化勢在必行。此外，SiC材料和器件在軍工國防領域的重要作用，也越來越突出。SiC外延設備在推動產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化進程中，意義尤為重大。

　　2.器件發(fā)展，材料先行，IDM模式將繼續(xù)成為行業(yè)主流。SiC將會取代Si作為大部分功率器件的材料，但不會完全替代，因為數(shù)字芯片并不適合采用SiC對Si進行替代，因此SiC預計占整個半導體行業(yè)10%左右。SiC主要應用在功率半導體上，因此IDM模式能夠確保產(chǎn)品良率、控制成本。

　　3.國內(nèi)外差距沒有一、二代半導體明顯。先發(fā)優(yōu)勢是半導體行業(yè)的特點，Cree高市占率也印證了先發(fā)優(yōu)勢的重要性。相較于Si，國產(chǎn)廠商對SiC研究起步時間與國外廠商相差不多，因此國產(chǎn)廠商有希望追上國外廠商，完成國產(chǎn)替代。

　　投資建議：建議關注相關產(chǎn)業(yè)鏈標的：北方華創(chuàng)(行情002371,診股)、聞泰科技(行情600745,診股)、天科合達（A20375）、海特高新(行情002023,診股)、三安光電(行情600703,診股)、斯達半導(行情603290,診股)、長電科技(行情600584,診股)、比亞迪(行情002594,診股)電子（0285.HK）。

　　風險提示：半導體周期持續(xù)下行，貿(mào)易摩擦拉長周期下行的時間；產(chǎn)品迭代速度較慢，國內(nèi)競爭者迅速成長；制造過程中核心設備和原材料遭到禁運，對生產(chǎn)造成不利影響。

　　正文如下