第三代半導(dǎo)體或成政策發(fā)力點 華為等巨頭紛紛布局（股）

　　第三代半導(dǎo)體以氮化鎵、碳化硅、硒化鋅等寬帶半導(dǎo)體原料為主，更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件。目前，第三大半導(dǎo)體材料市場呈現(xiàn)出美日歐玩家領(lǐng)先的格局。以碳化硅為例，美國全球獨大，占據(jù)全球碳化硅產(chǎn)量的70-80%；歐洲擁有完整的 SiC 襯底、外延片、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈，日本則是設(shè)備和模塊開發(fā)方面的領(lǐng)先者。相比之下，中國的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)稍顯貧弱，在技術(shù)領(lǐng)先度、市場份額占比等方面較落后。

　　有消息稱，中國正在規(guī)劃將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入“十四五”規(guī)劃之中，計劃在2021到2025年的五年之內(nèi)，舉全國之力，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面對第三代半導(dǎo)體發(fā)展提供廣泛支持，以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。

　　國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的建設(shè)也在加碼。2020年7月20日，投資160億元、占地面積1000畝的“三安光電(行情600703,診股)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園”，在長沙高新區(qū)啟動開工建設(shè)。該產(chǎn)業(yè)園主要用于建設(shè)具自主知識產(chǎn)權(quán)的碳化硅襯底、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地，也將建設(shè)我國首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)線，這也意味中國邁出了第三代半導(dǎo)體材料“全自研”過程中的一步。而在此之前，華為旗下的哈勃科技投資有限公司出手投資了國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料公司，該公司是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。

　　據(jù)市場分析機構(gòu)賽迪顧問統(tǒng)計，2019年在射頻器件領(lǐng)域氮化鎵占比超過30%，氮化鎵市場規(guī)模約5.6億美元；到2025年，氮化鎵在射頻器件領(lǐng)域占比有望超過50%，市場規(guī)模有望沖破30億美元。碳化硅方面，2019年全球碳化硅市場規(guī)模約5.4億美元，在2025年有望達到30億美元，汽車市場將成為碳化硅市場規(guī)模增長的重要驅(qū)動力。5G、智慧交通、新能源已經(jīng)成為全球發(fā)展的方向，而碳化硅、氮化鎵的市場潛力還遠未被全部挖掘。

　　相關(guān)上市公司：

　　露笑科技(行情002617,診股)：已與合肥市長豐縣簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，未來公司將與合肥市長豐縣人民政府在合肥市長豐縣共同投資建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園，項目投資總規(guī)模預(yù)計100億元；

　　三安光電：近年來不斷布局氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）等產(chǎn)品陸續(xù)出貨，正式宣告跨界氮化鎵領(lǐng)域；

　　有研新材(行情600206,診股)：積極推進半導(dǎo)體靶材、稀土磁材、紅外光學(xué)材料、生物醫(yī)用材料等重點領(lǐng)域發(fā)展。